（通讯员 宋宇科 李娜）2021年12月11日上午10点，以“GaN纳米线的制备、机理及应用研究”为主题的学术报告会在工程训练中心2号楼402会议室成功举办。北京工业大学新能源材料与技术研究所所长、博士生导师，王如志教授担任本次报告主讲嘉宾。湖南先进传感与信息技术创新研究院副院长曹觉先教授担任主持，湘潭大学物理与光电工程学院副院长毛宇亮教授、院内科研骨干教师以及多名研究生同学参会。
王如志教授，在ES、AM、JACS、APL等国际知名学术刊物上发表SCI收录论文150多篇；申请国家发明专利100余项:主持JKW基础加强计划重点基础研究项目、国家自然科学基金、GF基础科研计划等科研项目10余项。此外，作为子课题负责人或骨干参与国家重大专项、国家重点研发计划、国家自然科学基金重点基金等科研项目多项。
报告伊始，王教授从自身研究方向出发，简要介绍了GaN的基本物性，制备工艺发展及其重要应用。随后着重介绍了无氨化GaN纳米线制备的两种实验系统：PECVD系统和MPCVD系统。采用PECVD系统并用Au为催化剂时，可以由GaN粉末直接合成超过10微米的GaN纳米线；在较低温情况下，利用MPCVD系统可以快速生长出超过50微米且结构可调控的GaN纳米线。同时通过VLS生长气固液三相调控，还可以实现纳米线直径从六方到三角的转变。此外，王教授还分析了GaN纳米线的各种光电性能，提出可通过对GaN纳米线结构进行调控提升其场发射性能。
报告结束后，现场师生纷纷向王教授表达感谢和敬意，并提出了“自供电紫外探测是如何实现自供电、GaN纳米线的场发射性能是如何得到”等相关问题，王教授对大家的问题一一作了详细解答。
欲穷千里，需更上一楼。此次学术报告在轻松愉悦的氛围中进行思维碰撞，彼此探讨、相互启迪，拓宽了同学们的学术视野。
（责任编辑：苏乐）
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